Silikon Karbida Trays SiC wafer plat tray untuk ICP mengukir MOCVD Susceptor Wear Resistant

Deskripsi Produk

Silikon Karbida Trays SiC wafer plat tray untuk ICP mengukir MOCVD Susceptor Wear Resistant

Deskripsi

SIC plat grafit dilapisi terbuat dari matriks grafit kemurnian tinggi, menerima lapisan SiC melalui CVD (deposisi uap kimia) dengan kemurnian yang sangat tinggi dan kepadatan teoritis.Lapisan CVD SiC ini sangat keras, yang memungkinkan untuk dipoles ke akhir seperti cermin, menunjukkan kemurnian yang sangat tinggi dan ketahanan keausan yang luar biasa.membuat mereka ideal untuk industri semikonduktor dan pengaturan ultra-bersih lainnyaMereka terutama digunakan sebagai substrat untuk pembentukan lapisan epitaxial pada wafer semikonduktor, mereka menawarkan beberapa keuntungan, seperti permukaan kemurnian ultra-tinggi dan ketahanan haus yang unggul.Dengan CVD memastikan lapisan SiC dengan pori-pori minimal dan sifat silikon karbida yang dapat dipoles, produk ini menemukan aplikasi yang luas di industri semikonduktor, termasuk baki MOCVD, RTP, dan ruang pengetikan oksida,karena ketahanan thermal shock yang sangat baik dari silikon nitride dan daya tahan plasma.

Pameran produk

Sifat produk

1. Ultra tinggi kemurnian
2. Ketahanan kelelahan termal yang sangat baik
3. Tahan benturan fisik yang sangat baik
4. Kemampuan pemesinan untuk bentuk kompleks
5. Stabilitas kimia yang sangat baik
6. Dapat digunakan dalam atmosfer oksidasi.

Aplikasi produk

ICP Etching:Tray Karbida Silikon adalah komponen penting dalam sistem etching ICP (Induktively Coupled Plasma), di mana mereka berfungsi sebagai platform yang kuat untuk memegang dan memproses wafer semikonduktor.Sifat tahan aus dari nampan memastikan keandalan dan konsistensi yang berkepanjangan selama proses penggoresan, berkontribusi pada transfer pola yang tepat dan modifikasi permukaan pada wafer.

Suspek MOCVD:Dalam sistem MOCVD, Silicon Carbide Trays bertindak sebagai perasa, memberikan dukungan stabil untuk deposisi film tipis pada substrat semikonduktor.Kemampuan baki untuk mempertahankan kemurnian tinggi dan menahan suhu tinggi membuat mereka ideal untuk memfasilitasi pertumbuhan lapisan epitaxial dengan kualitas superior dan keseragaman.

Tahan Pakai:Dilengkapi dengan lapisan SiC, baki ini menunjukkan ketahanan terhadap keausan yang luar biasa, memastikan umur layanan yang lebih lama bahkan dalam kondisi operasi yang menuntut.Ketahanan mereka terhadap abrasi dan degradasi kimia meningkatkan produktivitas dan meminimalkan waktu henti, membuat mereka sangat diperlukan dalam lingkungan manufaktur semikonduktor dengan throughput tinggi.

Piring grafit yang dilapisi SIC digunakan sebagai dasar untuk memantapkan dan memanaskan wafer semikonduktor selama pengolahan panas.dan ketahanan kelelahan termalnya, konduktivitas termal, dan kemurnian sangat penting untuk pemrosesan termal cepat (RTP).dan kinerja dan kualitas dasar memiliki efek penting pada kualitas lapisan epitaxial wafer.

Pertanyaan dan Jawaban

Apa itu grafit susceptor?

Susceptor dan muffle dari bahan grafitmelindungi sinter dari pengaruh eksternal, seperti radiasi termal langsung dari elemen pemanasMereka memanaskan diri dan memancarkan panasnya secara merata ke benda kerja.

Apa itu lapisan SiC?

Apa itu lapisan silikon karbida?lapisan silikon karbida (SiC) padat dan tahan ausKami menerapkan SiC dalam lapisan tipis pada grafit menggunakan proses pengendapan uap kimia (CVD).Aplikasi.

Apa itu silikon karbida grafit?

SiC30 - Bahan komposit silikon karbida-grafit

SiC30 adalahbahan komposit yang luar biasa yang terdiri dari silikon karbida dan grafit, yang kombinasi sifatnya memecahkan masalah yang tidak dapat diselesaikan dengan bahan lain.Produk

Rekomendasi produk

1SIC Silicon Carbide Wafer 4H - N Tipe Untuk Perangkat MOS 2inch Dia50.6mm ((untuk lebih lanjut silakan klik gambar)

Perhatikan

Silakan hubungi kami untuk rincian spesifik mengenai pilihan produk yang dapat disesuaikan.

Kata kunci:

1. Tray Karbida Silikon
2. Lapisan SiC
3. CVD (penyebaran uap kimia)
4. Kemurnian tinggi
5. Tahan lama
6. Industri semikonduktor
7. Lapisan epitaksial
8. MOCVD
9. Ketahanan kelelahan termal
10. Opsi yang dapat disesuaikan