|
Informasi Detail |
|||
| Diameter: | 6" | Tipe/Dopan:: | Tipe N/P-doped |
|---|---|---|---|
| Orientasi:: | <1-0-0>+/-.5 derajat | Ketebalan:: | 2,5±0,5µm |
| Resistivitas:: | 1-4 ohm-cm | Selesaikan:: | Sisi Depan Dipoles |
| Oksida Termal Terkubur:: | 1,0um +/- 0,1um | Menangani Wafer:: | <1-0-0>+/-.5 derajat |
| Menyoroti: | 625um SOI wafer,P-doped SOI wafer |
||
Deskripsi Produk
Wafer SOI silikon-on-Insulator 6", 2,5 "m (P-doped) + 1,0 SiO2 + 625um Si (P-type /Boron doped)
Abstrak Wafer Silicon-on-Isolator (SOI)
Wafer Silicon-on-Insulator (SOI) ini adalah substrat semikonduktor khusus yang dirancang untuk aplikasi sistem elektronik dan mikroelektronika canggih (MEMS).Wafer ini ditandai dengan struktur multi-lapisan yang meningkatkan kinerja perangkat, mengurangi kapasitansi parasit, dan meningkatkan isolasi termal, menjadikannya pilihan yang ideal untuk berbagai aplikasi berkinerja tinggi dan presisi tinggi.
Silikon-on-Isolator (SOI) Wafer Properties Product
Spesifikasi Wafer:
- Diameter Wafer: 150 mm
- Diameter 6 inci menyediakan area permukaan yang besar untuk pembuatan perangkat, meningkatkan efisiensi manufaktur dan mengurangi biaya produksi.
Lapisan perangkat:
- Ketebalan: 2,5 mikrometer
- Lapisan perangkat tipis memungkinkan kontrol yang tepat dari sifat elektronik, penting untuk aplikasi kecepatan tinggi dan kinerja tinggi.
- Doping: Tipe P (Phosphorus-doped)
- Phosphorus doping meningkatkan konduktivitas listrik lapisan perangkat, membuatnya cocok untuk berbagai perangkat semikonduktor tipe p.
Lapisan oksida terkubur (BOX):
- Ketebalan: 1,0 mikrometer
- Lapisan SiO2 setebal 1,0 μm memberikan isolasi listrik yang sangat baik antara lapisan perangkat dan wafer pegangan, mengurangi kapasitas parasit dan meningkatkan integritas sinyal.
Tangani Wafer:
- Ketebalan: 625 mikrometer
- Wafer pegangan tebal memastikan stabilitas mekanik selama pembuatan dan operasi, mencegah penyimpangan atau patah.
- Jenis: P-type (Boron-doped)
- Doping boron meningkatkan kekuatan mekanik dan konduktivitas termal wafer pegangan, membantu dalam disipasi panas dan meningkatkan keandalan perangkat secara keseluruhan.
| Lapisan Perangkat | ||
| Diameter: | 6" | |
| Tipe/Dopant: | Tipe N/P-doped | |
| Orientasi: | <1-0-0> +/-0,5 derajat | |
| Ketebalan: | 2.5±0,5μm | |
| Resistensi: | 1-4 ohm-cm | |
| Selesaikan: | Bagian Depan Dipolisir | |
|
Termal oksida terkubur: |
||
| Ketebalan: | 1.0um +/- 0,1 um | |
|
Wafer pegangan: |
||
| Jenis/Dopant | Jenis P, B doped | |
| Orientasi | <1-0-0> +/-0,5 derajat | |
| Resistensi: | 10-20 ohm-cm | |
| Ketebalan: | 625 +/- 15 um | |
| Selesaikan: | Seperti yang diterima (tidak dipoles) | |
Sifat utama produk:
-
Lapisan perangkat berkualitas tinggi:
- Mobilitas Pembawa: Mobilitas pembawa yang tinggi dalam lapisan yang didop fosfor memastikan respon elektronik yang cepat dan operasi berkecepatan tinggi.
- Kepadatan Cacat Rendah: Proses pembuatan berkualitas tinggi memastikan defek minimal, yang mengarah pada kinerja yang lebih baik dan hasil yang lebih tinggi.
-
Isolasi Listrik yang Efisien:
- Kapasitas Parasit rendah: Lapisan BOX secara efektif mengisolasi lapisan perangkat dari substrat, mengurangi kapasitansi parasit dan crosstalk, penting untuk aplikasi frekuensi tinggi dan daya rendah.
- Integritas sinyal: Isolasi listrik yang ditingkatkan membantu menjaga integritas sinyal, yang sangat penting untuk sirkuit analog dan digital presisi tinggi.
-
Pengelolaan panas:
- Konduktivitas Termal: Wafer pegangan boron-doped memberikan konduktivitas termal yang baik, membantu dalam disipasi panas yang dihasilkan selama operasi perangkat, sehingga mencegah overheating dan memastikan kinerja yang stabil.
- Ketahanan panas: Struktur dan bahan wafer memastikan bahwa wafer dapat menahan suhu tinggi selama pengolahan dan operasi.
-
Stabilitas Mekanis:
- Kekuatan: Wafer pegangan tebal memberikan dukungan mekanis, memastikan wafer tetap stabil selama proses pembuatan dan di bawah tekanan operasi.
- Daya tahan: Stabilitas mekanik wafer pegangan membantu mencegah kerusakan, mengurangi risiko pecah wafer dan meningkatkan umur panjang perangkat secara keseluruhan.
-
Keanekaragaman dalam Aplikasi:
- Komputer Berkinerja Tinggi: Cocok untuk prosesor dan sirkuit logika digital berkecepatan tinggi lainnya, berkat mobilitas pembawa yang tinggi dan kapasitas parasit yang rendah.
- Komunikasi 5G: Ideal untuk komponen RF dan pemrosesan sinyal frekuensi tinggi, mendapat manfaat dari isolasi listrik yang sangat baik dan sifat manajemen termal.
- Perangkat MEMS: Sempurna untuk pembuatan MEMS, menawarkan stabilitas mekanik dan presisi yang dibutuhkan untuk struktur mikro.
- Sirkuit sinyal analog dan campuran: Kebisingan rendah dan transmisi yang berkurang membuatnya cocok untuk sirkuit analog presisi tinggi.
- Elektronika Daya: Sifat termal dan mekanik yang kuat membuatnya cocok untuk aplikasi manajemen daya yang membutuhkan efisiensi dan keandalan yang tinggi.
Kesimpulan
Wafer Silicon-on-Insulator (SOI) ini menawarkan kombinasi unik dari bahan berkualitas tinggi dan teknik pembuatan canggih, menghasilkan substrat yang unggul dalam kinerja listrik,manajemen termal, dan stabilitas mekanik. Sifat-sifat ini menjadikannya pilihan yang ideal untuk berbagai aplikasi elektronik dan MEMS berkinerja tinggi,mendukung pengembangan perangkat semikonduktor generasi berikutnya.
Wafer Silicon-on-Isolator (SOI) Foto produk
Pertanyaan dan Jawaban
Apa itu SOI Wafer (Wafer Silikon pada Isolator)?
Wafer Silicon-On-Insulator (SOI) adalah jenis substrat semikonduktor yang terdiri dari beberapa lapisan, termasuk lapisan perangkat silikon tipis, lapisan oksida isolasi,dan wafer pegangan silikon pendukungStruktur ini meningkatkan kinerja perangkat semikonduktor dengan memberikan isolasi listrik yang lebih baik, mengurangi kapasitansi parasit, dan meningkatkan manajemen termal.
