 |
8 inci 4H-N tipe SiC ketebalan wafer 500±25um n doped dummy prima penelitian kelas
Detail produk:
| Place of Origin: | China |
| Nama merek: | ZMSH |
| Nomor model: | SIC |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Minimum Order Quantity: | 1 |
|---|---|
| Delivery Time: | 2-4 weeks |
| Payment Terms: | T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| polytype: | 4H | surface orientation: | <11-20>4±0.5 |
|---|---|---|---|
| dopant: | n-type Nitrogen | resistivity: | 0.015~0.025ohm ·cm |
| diameter: | 200±0.2 mm | thickness: | 500±25 um |
| Pintu: | Talang | surface finish: | Si-face CMP |
Deskripsi Produk
8 inci 4H-N tipe SiC Ketebalan wafer 500±25um n doped dummy prime research grade
8 inci 4H-N tipe SiC Wafer abstrak
Studi ini menyajikan karakteristik wafer silikon karbida (SiC) tipe 4H-N 8 inci yang dimaksudkan untuk aplikasi semikonduktor.Dibuat dengan menggunakan teknik canggih dan dilapisi dengan kotoran tipe nTeknik karakterisasi termasuk difraksi sinar-X (XRD), mikroskop elektron pemindaian (SEM), dan pengukuran efek Hall digunakan untuk menilai kualitas kristal, morfologi permukaan,dan sifat listrik waferAnalisis XRD mengkonfirmasi struktur politipe 4H dari wafer SiC, sementara pencitraan SEM mengungkapkan morfologi permukaan yang seragam dan bebas cacat.Pengukuran efek Hall menunjukkan tingkat doping tipe n yang konsisten dan terkontrol di seluruh permukaan waferHasilnya menunjukkan bahwa wafer SiC tipe 4H-N 8 inci menunjukkan karakteristik yang menjanjikan untuk digunakan dalam perangkat semikonduktor berkinerja tinggi.terutama dalam aplikasi yang membutuhkan daya tinggi dan operasi suhu tinggiStudi optimasi dan integrasi perangkat lebih lanjut diperlukan untuk sepenuhnya mengeksploitasi potensi platform material ini.
8 inci 4H-N jenis SiC Wafer sifat
-
Struktur Kristal: Menampilkan struktur kristal heksagonal dengan politipe 4H, memberikan sifat elektronik yang menguntungkan untuk aplikasi semikonduktor.
-
Diameter Wafer: 8 inci, menyediakan area permukaan yang besar untuk pembuatan perangkat dan skalabilitas.
-
Ketebalan wafer: Biasanya 500 ± 25 μm, memberikan stabilitas mekanik dan kompatibilitas dengan proses manufaktur semikonduktor.
-
Doping: Doping tipe N, di mana atom nitrogen sengaja dimasukkan sebagai kotoran untuk menciptakan kelebihan elektron bebas di kisi kristal.
-
Sifat listrik:
- Mobilitas elektron yang tinggi, memungkinkan transportasi muatan yang efisien.
- Resistivitas listrik rendah, memudahkan konduksi listrik.
- Profil doping terkontrol dan seragam di seluruh permukaan wafer.
-
Kebersihan Bahan: Bahan SiC kemurnian tinggi, dengan tingkat kekotoran dan cacat yang rendah, memastikan kinerja perangkat yang andal dan umur panjang.
-
Morfologi permukaan: Morfologi permukaan yang halus dan bebas cacat, cocok untuk pertumbuhan epitaxial dan proses pembuatan perangkat.
-
Sifat termal: Konduktivitas termal yang tinggi dan stabilitas pada suhu tinggi, membuatnya cocok untuk aplikasi bertenaga tinggi dan suhu tinggi.
-
Sifat optik: Energi bandgap yang luas dan transparansi dalam spektrum terlihat dan inframerah, memungkinkan integrasi perangkat optoelektronik.
-
Sifat Mekanis:
- Kekuatan dan kekerasan mekanik yang tinggi, memberikan daya tahan dan ketahanan selama penanganan dan pemrosesan.
- Koefisien ekspansi termal yang rendah, mengurangi risiko retakan akibat tekanan termal selama siklus suhu.
Nomor Artikel Satuan Produksi Penelitian Bodoh 1 pola 4H 4H 4H 2 orientasi permukaan ° < 11-20> 4 ± 0.5 < 11-20> 4 ± 0.5 < 11-20> 4 ± 0.5 3 bahan penambah Nitrogen tipe n Nitrogen tipe n Nitrogen tipe n 4 resistivitas ohm · cm 0.015 ~ 0.025 0.01 ~ 0.03 5 diameter mm 200 ± 0.2 200 ± 0.2 200 ± 0.2 6 ketebalan μm 500 ± 25 500 ± 25 500 ± 25 7 Orientasi cetakan ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5 8 Kedalaman Notch mm 1 ~ 1.5 1 ~ 1.5 1 ~ 1.5 9 LTV μm ≤5 ((10mm×10mm) ≤5 ((10mm×10mm) ≤10 ((10mm × 10mm) 10 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15 11 Bersujudlah μm 25 ~ 25 45 ~ 45 65 ~ 65 12 Warp μm ≤ 30 ≤ 50 ≤ 70
8 inci 4H-N tipe SiC Wafer gambar
8 inci 4H-N jenis SiC Wafer aplikasi
Elektronika Daya: Wafer SiC banyak digunakan dalam pembuatan perangkat daya seperti dioda Schottky, MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors),dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)Perangkat-perangkat ini mendapat manfaat dari tegangan pemecahan SiC yang tinggi, resistensi pada keadaan rendah, dan kinerja suhu tinggi, membuatnya cocok untuk aplikasi di kendaraan listrik,sistem energi terbarukan, dan sistem distribusi listrik.
Perangkat RF dan Microwave: Wafer SiC digunakan dalam pengembangan perangkat RF frekuensi tinggi (Frekwensi Radio) dan gelombang mikro karena mobilitas elektron dan konduktivitas termal yang tinggi.Aplikasi termasuk penguat daya tinggi, saklar RF, dan sistem radar, di mana keuntungan kinerja SiC memungkinkan pengelolaan daya yang efisien dan operasi frekuensi tinggi.
Optoelektronika: Wafer SiC digunakan dalam pembuatan perangkat optoelektronik seperti fotodetektor ultraviolet (UV), dioda memancarkan cahaya (LED), dan dioda laser.SiC memiliki bandgap yang luas dan transparansi optik dalam kisaran UV membuatnya cocok untuk aplikasi dalam sensing UV, sterilisasi UV, dan LED UV bercahaya tinggi.
Elektronik Suhu Tinggi: Wafer SiC lebih disukai untuk sistem elektronik yang beroperasi di lingkungan yang keras atau pada suhu tinggi.dan sistem kontrol mesin mobil, di mana stabilitas termal dan keandalan SiC memungkinkan operasi dalam kondisi ekstrem.
Teknologi Sensor: Wafer SiC digunakan dalam pengembangan sensor berkinerja tinggi untuk aplikasi seperti sensor suhu, sensor tekanan, dan sensor gas.Sensor berbasis SiC menawarkan keuntungan seperti sensitivitas tinggi, waktu respons yang cepat, dan kompatibilitas dengan lingkungan yang keras, membuat mereka cocok untuk aplikasi industri, otomotif, dan aerospace.